每經(jing)AI快(kuai)訊，2月18日(ri)，TechInsights微(wei)信公(gong)眾號發布報(bao)告稱，2025年(nian)(nian)第(di)一(yi)季度，市(shi)場上將(jiang)(jiang)首(shou)次推出D1c的(de)(de)(de)(de)一(yi)小(xiao)部(bu)分(fen)產(chan)(chan)品，首(shou)先由(you)SK海力(li)(li)士推出。D1c世(shi)代將(jiang)(jiang)在2026年(nian)(nian)和(he)(he)(he)2027年(nian)(nian)占據(ju)主(zhu)導地位(wei)，包括HBM4 DRAM應用(yong)。從(cong)市(shi)場角度看，HBM產(chan)(chan)品，尤(you)其是(shi)HBM3和(he)(he)(he)HBM3E，性能卓越但目前(qian)價格高(gao)昂，而傳(chuan)統(tong)產(chan)(chan)品如(ru)(ru)LPDDR5和(he)(he)(he)DDR5器件則(ze)價格較(jiao)低且(qie)性能相對較(jiao)弱。未來AI和(he)(he)(he)數據(ju)中心將(jiang)(jiang)需要更(geng)高(gao)的(de)(de)(de)(de)單個裸晶的(de)(de)(de)(de)內存容量，例(li)如(ru)(ru)32 Gb、48 Gb或64 Gb芯(xin)片，但目前(qian)市(shi)場上主(zhu)流(liu)仍是(shi)16 Gb裸晶。在更(geng)高(gao)密度的(de)(de)(de)(de)DRAM芯(xin)片中，應開發3D DRAM架(jia)構，如(ru)(ru)4F2垂直溝道晶體管 (VCT) 單元、IGZO DRAM單元或3D堆疊DRAM單元，并在10納(na)米(mi)以下級(ji)別節(jie)點(dian)(dian)（個位(wei)數節(jie)點(dian)(dian)）實現產(chan)(chan)品化，尤(you)其是(shi)三星、SK海力(li)(li)士和(he)(he)(he)美光等主(zhu)要廠(chang)商(shang)，作為下一(yi)代DRAM縮放(fang)的(de)(de)(de)(de)候選方案。D1a和(he)(he)(he)D1b是(shi)市(shi)場上的(de)(de)(de)(de)主(zhu)流(liu)產(chan)(chan)品。到(dao)2027年(nian)(nian)底，我們(men)預計(ji)DRAM將(jiang)(jiang)邁入個位(wei)數納(na)米(mi)技術節(jie)點(dian)(dian)，如(ru)(ru)D0a，隨后(hou)將(jiang)(jiang)是(shi)0b和(he)(he)(he)0c世(shi)代。