每(mei)經編輯｜金冥羽    

當地時(shi)間10月29日，美股(gu)存儲板塊(kuai)繼(ji)續狂(kuang)飆，截至發稿，希捷(jie)科技大漲17.2%，西部(bu)數據漲超12%，Sa-n-D-i-sk漲超10%，美光科技漲近3%。

值得(de)注意的是，近兩個月(yue)美(mei)股存儲板塊(kuai)漲幅驚人。希(xi)捷(jie)科(ke)技(ji)累漲54.41%，西部數據累漲72.37%，美(mei)光科技累漲89.13%，Sa-n-D-i-sk累漲283%。

消息面上，存儲(chu)產品價格近期呈現出驚人(ren)的(de)上漲態勢。據中國藍新聞，在浙江杭州(zhou)，內存條近一個月價格翻了一番。有商戶表示，原來200多(duo)元(yuan)的內存(cun)條現在漲(zhang)到(dao)400多(duo)元(yuan)，原來1000多(duo)元(yuan)的則漲(zhang)到(dao)近2000元(yuan)。

社交媒(mei)體上(shang)不少網友紛紛曬出自己(ji)所(suo)囤的(de)內存條(tiao)，慶幸提前(qian)組(zu)裝(zhuang)了(le)電腦，“真沒想(xiang)到內(nei)存條如今成了‘電子茅臺’，漲得比黃金還快(kuai)。”

內存價格暴漲(zhang)

據界面新聞，TrendForce集邦(bang)咨(zi)詢數據顯示，2025年第三季度，DRAM價格較去年同期大幅上漲(zhang)171.8%。若(ruo)以今日國際現貨黃金每(mei)盎司價格3998美(mei)元計(ji)算，較(jiao)去年低位(wei)時的1890美(mei)元也只漲了115%。

從現貨市場數(shu)據來看(kan)，在10月13日(ri)至18日(ri)期間，DRAM方面，DDR5 16G、DDR4 16G均價相較上周分別上漲20.59%、11.11%，相較上月(yue)漲幅更是高達58.73%、43%。

DDR全稱(cheng)為Double Data Rate（雙倍數據速率），是(shi)內存(cun)(cun)條(tiao)（即動態隨(sui)機存(cun)(cun)取存(cun)(cun)儲器(qi)，DRAM）的核心技術標準，也是(shi)衡量(liang)內存(cun)(cun)性能的關鍵指標之一。

存(cun)(cun)儲(chu)芯片(pian)具體可(ke)(ke)分為(wei)兩(liang)類：一是(shi)數據持久化存(cun)(cun)儲(chu)（如(ru)(ru)NAND閃存(cun)(cun)，斷電(dian)后數據不丟失），二是(shi)實(shi)時(shi)數據暫存(cun)(cun)（如(ru)(ru)DRAM，需持續供電(dian)，讀寫速度快(kuai)）；其中(zhong)，基于DRAM技術的(de)高(gao)端品類HBM（高(gao)帶(dai)寬內存(cun)(cun)），可(ke)(ke)滿足(zu)AI計算、服務器等(deng)場景中(zhong)“海量數據實(shi)時(shi)流轉”的(de)需求。

AI驅動的(de)產能(neng)轉移引發產品供(gong)應結構性失衡，是(shi)此輪漲價(jia)的(de)核心邏輯。

自2022年11月ChatGPT誕生(sheng)引發生(sheng)成式人(ren)工智(zhi)能熱潮并推動全球競(jing)相(xiang)建設人(ren)工智(zhi)能數據中(zhong)心(xin)以來，存儲芯(xin)片(pian)制造商就一直在(zai)將更多產能轉(zhuan)向(xiang)HBM芯(xin)片(pian)的生(sheng)產。

Yole Group預計，2025年(nian)，主要用于(yu)GPU生(sheng)產的(de)(de)(de)HBM產品的(de)(de)(de)營收預計將接近(jin)翻倍(bei)，達到約340億(yi)美元；HBM市場(chang)將在2030年(nian)前保持(chi)33%的(de)(de)(de)年(nian)復合增長率(lv)，屆時其營收將超過DRAM市場(chang)總營收的(de)(de)(de)50%。

值得(de)一提的(de)是，HBM所消耗的晶圓(yuan)容量是標準DRAM的三倍多(duo)，像OpenAI等企業提(ti)出的(de)(de)每月90萬片(pian)晶(jing)圓訂單，相當于消耗了(le)當前全球DRAM月產能(neng)的(de)(de)53%。

此外(wai)，長鑫存儲等(deng)中(zhong)國公司(si)在低端(duan)DRAM芯片(pian)上日益激(ji)烈的競爭，也促(cu)使控制全球DRAM芯(xin)片市場(chang)約70%份(fen)額(e)的韓國三星和SK海力士加速向(xiang)高端芯(xin)片轉型。這(zhe)些廠商自2025年初起便陸續調整戰略(lve)，逐步(bu)減少乃至計劃在2025年底至2026年初完全停(ting)止DDR4內存(cun)顆粒的生(sheng)產(chan)，將產(chan)能(neng)全面轉向利潤更高、技(ji)術更先進(jin)的DDR5、HBM等產(chan)品。這(zhe)直接擠壓了DDR4的產(chan)能(neng)空間，使得DDR4產(chan)量減少，市場(chang)上供不應求。

為(wei)應對漲(zhang)價(jia)，早在年初就有不(bu)少經銷(xiao)商(shang)開始(shi)大量(liang)囤(dun)貨鎖價(jia)。在華強北(bei)等電子(zi)集散地，自二季度開始(shi)出(chu)現經銷(xiao)商(shang)大規模掃貨現象，導(dao)致民用市場的現貨流通量(liang)減少，進一步加劇了(le)價(jia)格上漲(zhang)。

TrendForce集邦(bang)咨詢7月發(fa)布的報告(gao)顯(xian)示(shi)，由于三大廠轉移產(chan)能，并(bing)宣布個人電腦(nao)、服務器用DDR4及手(shou)機用LPDDR4X進入(ru)產(chan)品生命周(zhou)期末(mo)期，引發(fa)了(le)市場(chang)對上一代產(chan)品積極備貨，再加上正值存儲行業旺季(ji)，現貨市場(chang)供不應求。2025年第三季度(du)DRAM合約價(jia)上(shang)漲10%至15%，第三季漲價(jia)幅度(du)達到40%至45%。

存(cun)儲(chu)芯片(pian)廠商賺翻(fan)了

據財聯社，根據韓國KB證券研究主(zhu)管Jeff Kim預計，若當前漲勢持續，明年非HBM內(nei)存芯片的(de)盈利(li)能力甚(shen)至(zhi)可能將超(chao)越HBM。

據(ju)其估算，三星7—9月期間標(biao)準DRAM業務運營(ying)利(li)潤(run)率(lv)約為(wei)40%，HBM業務則達60%。美光(guang)科技(ji)上(shang)月預測，2026年HBM與非HBM業務均將保持健康的利(li)潤(run)率(lv)。

另(ling)一方面，存儲(chu)芯(xin)片價(jia)格飆(biao)升可能(neng)給消費電子和服務器制造商帶(dai)來額外成本壓力(li)。這些(xie)企業本就因美國提高關稅和稀土短(duan)缺引發(fa)的(de)潛在(zai)供應鏈(lian)中斷而成本攀(pan)升。

部分(fen)企業正將成(cheng)本壓力轉(zhuan)嫁給消費(fei)者(zhe)。例如英國個(ge)人電腦(nao)制(zhi)造商Raspberry Pi本月早些(xie)時候就宣布漲(zhang)價，稱內存成(cheng)本較一(yi)年前(qian)上漲(zhang)約120%。其首席執行官埃Eben Upton表示：“我們已到了必須分攤部分成本的(de)階(jie)段。”

此前(qian)小米(mi)發布紅米(mi)K90手機時，創始人雷軍便將不同版(ban)本(ben)間價差過大歸因(yin)于(yu)存(cun)儲(chu)成(cheng)本(ben)上(shang)漲。而(er)小米(mi)集團合伙(huo)人、總裁盧(lu)偉冰則稱，“我們無法改變全球供應鏈(lian)的(de)走勢，存(cun)儲(chu)成(cheng)本(ben)上(shang)漲也(ye)遠高(gao)于(yu)預期，且會持續加(jia)劇。”

全球第(di)二(er)大存(cun)儲(chu)模組廠威剛董事長陳立白(bai)稍早表(biao)示，當前(qian)DRAM、NAND閃存、SSD和機械硬盤四大(da)存儲(chu)類別全面缺(que)貨(huo)漲價的局面，在其三十余年的行業生涯中(zhong)前(qian)所未見。

他認為第四季(ji)度才是存儲大多頭的真正起點(dian)和嚴重缺貨(huo)的開(kai)始(shi)，也(ye)是存儲嚴重缺貨(huo)的開(kai)始(shi)，并預言明年(nian)產業(ye)榮景可期。

（免責聲明：本(ben)文內容與數(shu)據(ju)僅供參(can)考，不構成投資(zi)建議，使(shi)用前核實。據(ju)此操作(zuo)，風(feng)險自擔。）

編輯|||金冥(ming)羽 杜(du)恒(heng)峰(feng)

校對|陳柯(ke)名

封面圖片來(lai)源：視覺中國

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