每(mei)日經(jing)濟新聞(wen) 2025-11-03 10:57:04
截至2025年(nian)11月3日10:34,上(shang)證科創(chuang)(chuang)板半(ban)導體(ti)材料(liao)設備主題指(zhi)數下(xia)跌(die)4.14%。成分股方面,華峰測(ce)控(kong)領跌(die)9.15%,神工股份(fen)下(xia)跌(die)7.01%,京儀裝備下(xia)跌(die)6.77%,拓荊科技下(xia)跌(die)6.38%,中船(chuan)特氣下(xia)跌(die)5.23%。科創(chuang)(chuang)半(ban)導體(ti)ETF(588170)下(xia)跌(die)4.32%,最(zui)新報價1.35元。
流動性方(fang)面,科創半導體ETF(588170)盤中換手(shou)7.74%,成(cheng)交2.95億(yi)元。拉長時間看,截至10月31日(ri),科創半導體ETF(588170)近1月日(ri)均(jun)成(cheng)交6.40億(yi)元,領先同類。
規模方面,科創半導(dao)體ETF(588170)近2周規模增(zeng)(zeng)長3.70億元,實現顯著增(zeng)(zeng)長。
消息面上,英(ying)偉(wei)達在上周(zhou)舉行的APEC會(hui)議期間與韓國(guo)(guo)總統以及(ji)三(san)星、SK集團、現(xian)代(dai)汽車集團的高管(guan)會(hui)面,并宣布(bu)將向韓國(guo)(guo)政府及(ji)韓國(guo)(guo)大型企(qi)業供(gong)應超過26萬(wan)(wan)塊先進AI芯(xin)(xin)片。韓國(guo)(guo)政府計劃投(tou)資AI基礎設(she)施,采用超過5萬(wan)(wan)塊英(ying)偉(wei)達最新芯(xin)(xin)片;三(san)星、SK集團、現(xian)代(dai)汽車也將分別在AI工廠中部署5萬(wan)(wan)塊AI芯(xin)(xin)片,用于半導體(ti)和汽車制(zhi)造等領域;韓國(guo)(guo)互聯網巨頭Naver還將購買(mai)6萬(wan)(wan)塊英(ying)偉(wei)達芯(xin)(xin)片。據相關報(bao)道,英(ying)偉(wei)達將向韓國(guo)(guo)政府及(ji)韓企(qi)供(gong)應的GPU主要是(shi)GB200 Grace Blackwell,還有(you)一部分RTX 6000系(xi)列。
國盛證券指出(chu):內存(cun)漲(zhang)價超(chao)預期(qi),AI存(cun)力持(chi)續升溫。三星(xing)和(he)SK海(hai)力士將(jiang)(jiang)DRAM和(he)NAND閃存(cun)價格上調幅度(du)高達(da)30%。由于擔心DRAM短缺,多家公司(si)正囤積(ji)內存(cun)并洽談(tan)簽訂2-3年長(chang)期(qi)供應協議。AI驅動(dong)的內存(cun)半導體超(chao)級周期(qi)預計將(jiang)(jiang)更持(chi)久和(he)強(qiang)勁。
相關ETF:公開信息顯示, 科創半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)ETF(588170)及其聯接(jie)基金(A類:024417;C類:024418)跟蹤上(shang)證科創板半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)材(cai)(cai)料設(she)(she)備(bei)(bei)主題指數,囊括科創板中 半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)設(she)(she)備(bei)(bei)(61%)和半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)材(cai)(cai)料(23%)細分(fen)領(ling)域的硬科技(ji)公司。 半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)設(she)(she)備(bei)(bei)和材(cai)(cai)料行業是重要的國產(chan)替代領(ling)域,具(ju)備(bei)(bei)國產(chan)化率較低、國產(chan)替代天花板較高屬性,受益(yi)于人工智(zhi)能革命下的半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)需求,擴張(zhang)、科技(ji)重組并購浪潮(chao)、光刻(ke)機(ji)技(ji)術進展(zhan)。
半導(dao)體(ti)(ti)(ti)材料(liao)ETF(562590)及其聯接基金(A類(lei)(lei):020356、C類(lei)(lei):020357),指數中半導(dao)體(ti)(ti)(ti)設備(bei)(61%)、半導(dao)體(ti)(ti)(ti)材料(liao)(21%)占比(bi)靠前(qian),充分(fen)聚焦(jiao)半導(dao)體(ti)(ti)(ti)上游。
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